Nitrure d'aluminium
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Général | |||||
Formule brute | AlN | ||||
Nom IUPAC | Nitrure d'aluminium | ||||
Numéro CAS | 24304-00-5 | ||||
Apparence | cristaux hexagonaux blanc bleuté |
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Propriétés physiques | |||||
Masse moléculaire | 40.988 | ||||
Température de fusion |
décomposition à 3000°C | ||||
Température de vaporisation |
sublimation à 2200 | ||||
Solubilité | réagit avec l'eau | ||||
Densité | 3,255 g/cm³ | ||||
Température d'auto-inflammation |
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Thermochimie | |||||
S0gaz, 1 bar | |||||
S0liquide, 1 bar | |||||
S0solid | |||||
ΔfH0gaz | |||||
ΔfH0liquide | |||||
ΔfH0solide | |||||
Cp | |||||
Chaleur latente de fusion |
N/A | ||||
Chaleur latente de vaporisation |
N/A | ||||
Point critique | |||||
Point triple | |||||
Propriétés électroniques | |||||
bande interdite | 6.2 eV | ||||
mobilité électronique | |||||
mobilité des trous | |||||
Toxicologie | |||||
Inhalation | |||||
Peau | |||||
Yeux | |||||
Ingestion | |||||
Autres infos | |||||
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire. |
[modifier] Caractéristiques et applications
Le nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et isolant électrique possèdant une très grande conductivité thermique et présentant une grande résistance à l'oxydation et l'abrasion. Il a des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance.
Actuellement il y a de nombreuses recherches pour produire des diodes à émission UV utilisant du nitrure de gallium et d'aluminium. Des expériences ont permis d'atteindre des longueurs d'ondes de l'ordre de 210 nm[réf. nécessaire], le gap du nitrure d'aluminium autoriserait des émissions jusqu'à 200 nm en principe. Mais il faudra sans doute encore beaucoup de temps avant de voir de tels composés électroniques arriver sur le marché.
[modifier] Méthodes d'élaboration
A l'heure actuelle en recherche et développement, les techniques physico-chimiques d'élaboration de monocristaux d'AlN sont la sublimation, l'épitaxie par jet moléculaire (MBE) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD).