Diode Schottky
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Une diode Schottky (nommée d'après le physicien allemand Walter H. Schottky) est une diode qui a un seuil de tension directe très bas et un temps de commutation très court. Ceci permet la détection des signaux HF faibles et hyperfréquences, la rendant utile par exemple en radioastronomie. On l'utilise aussi pour sa capacité à laisser transiter de relativement fortes intensités pour le redressement de puissance.
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[modifier] Historique
L'ancêtre de la diode schottky utilisait deux matériaux "naturels" (une pointe d'acier et un cristal de galène), dans le poste à galène.
Parmi les diodes Schottky les plus courantes, on trouve la 1N5817, et des jonctions metal-semiconducteur Schottky sont présentes dans les composants logiques des familles 74S, 74LS, 74F et 74AF pour leur vitesse de commutation élevée et leur faible chute de tension.
[modifier] Description et caractéristiques
Une diode Schottky utilise une jonction metal-semiconducteur (au lieu d'une jonction p-n comme les diodes conventionnelles). Alors que les diodes standard en silicium ont une tension de seuil d'environ 0.6 volt, les diodes Schottky ont une tension de seuil (pour une polarisation directe d'environ 1 mA) dans la gamme de 0.15V à 0.45 V, ce qui les rend utiles en limitation de tension et en prévention de saturation des transistors.
Les inconvénients de ces diodes par rapport aux diodes à jonction p-n sont un courant de polarisation inverse plus élevé, une tension de claquage en inverse plus faible, ainsi qu'une plage de fonctionnement en température moins importante. Malgré les progrès effectués, ces diodes sont donc plus fragiles dans ces conditions [1].
[modifier] Bibliographie
[modifier] Notes et références
[modifier] Voir aussi
[modifier] Articles connexes
- Semi-conducteur
- MESFET
