Arséniure d'indium
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Général | |||||
Formule brute | InAs | ||||
Nom IUPAC | Arséniure d'indium | ||||
Numéro CAS | 1303-11-3 | ||||
Apparence | Solide gris | ||||
Propriétés physiques | |||||
Masse moléculaire | 189,74 | ||||
Température de fusion |
936-942°C | ||||
Température de vaporisation |
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Solubilité | insoluble dans l'eau | ||||
Densité | 5.68 | ||||
Température d'auto-inflammation |
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Thermochimie | |||||
S0gaz, 1 bar | |||||
S0liquide, 1 bar | |||||
S0solid | |||||
ΔfH0gaz | |||||
ΔfH0liquide | |||||
ΔfH0solide | |||||
Cp | |||||
Chaleur latente de fusion |
N/A | ||||
Chaleur latente de vaporisation |
N/A | ||||
Point critique | |||||
Point triple | |||||
Propriétés électroniques | |||||
bande interdite | 0,4 eV | ||||
mobilité électronique | |||||
mobilité des trous | |||||
Toxicologie | |||||
Phrases R | 23/25-50/53 | ||||
Phrases S | (1/2)-20/21-28-45-60-61 | ||||
Inhalation | |||||
Peau | |||||
Yeux | |||||
Ingestion | |||||
Autres infos | Toxique (T), Dangereux pour l'environnement (N) |
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Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire. |
L'arséniure d'indium, InAs, est une semi-conducteur composite de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.
Il possède des propriétés proches de celles de l'arséniure de gallium (GaAs) en microélectronique.
Il est toxique et dangereux pour l'environnement.
[modifier] Cristallographie
Comme l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type « blende ».