Arséniure d'indium

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Arséniure d'indium
Général
Formule brute InAs
DCI {{{DCI}}}
Nom IUPAC Arséniure d'indium
Numéro CAS 1303-11-3
Numéro EINECS {{{EINECS}}}
Code ATC
Apparence Solide gris
Propriétés physiques
Masse moléculaire 189,74
Température
de fusion
936-942°C
Température
de vaporisation
Solubilité insoluble dans l'eau
Densité 5.68
Température
d'auto-inflammation
Thermochimie
S0gaz, 1 bar
S0liquide, 1 bar
S0solid
ΔfH0gaz
ΔfH0liquide
ΔfH0solide
Cp
Chaleur latente
de fusion
N/A
Chaleur latente
de vaporisation
N/A
Point critique
Point triple
Propriétés électroniques
bande interdite 0,4 eV
mobilité électronique
mobilité des trous
Toxicologie
Classification UE
Phrases R 23/25-50/53
Phrases S (1/2)-20/21-28-45-60-61
Inhalation
Peau
Yeux
Ingestion
Autres infos Toxique (T),
Dangereux pour l'environnement (N)
Unités du SI & CNTP,
sauf indication contraire.

L'arséniure d'indium, InAs, est une semi-conducteur composite de type III-V, composé d'arsenic et d'indium.

Il possède des propriétés proches de celles de l'arséniure de gallium (GaAs) en microélectronique.

Il est toxique et dangereux pour l'environnement.


[modifier] Cristallographie

Comme l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type « blende ».


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